指标代码 | 指标项 | 阐述要点 |
T | 操作和存储温度 | 2 |
H | 湿度 | 3 |
C | 腐蚀 | 4 |
V | 震动 | 5 |
A | 模块附着力 | 6 |
R | 数据保存时间 | 7 |
E | 擦写次数 | 8 |
M | 抗电磁干扰 | 9 |
X | 抗X光 | 10 |
S | 抗静电 | 11 |
2. 操作和存储温度
普通SIM卡的操作及存储温度标准范围是：-25°C~85°C。
M2M专用卡温度分为七个等级，分别是T1，T2，T3，T4，T5，T6，T7各等级的温度范围
如下表所示：
表2 温度指标列表
温度级别 | 指标要求 |
T1 | -25 to +85°C |
T2 | -40 to +85°C |
T3 | -40 to +105°C |
T4 | -40 to +125°C |
T5 | -65 to +125°C |
T6 | -65 to +150°C |
T7（存储温度） | -65 to +300°C |
满足以上级别要求的M2M专用卡应保证：卡片暴露在温度范围规定的最高温度或者最低
温度下1000小时，卡的操作正常且存储正常（T7只要求存储温度）。
3. 湿度
湿度目前分为两个等级，指标要求如下表所示：
表3 湿度指标列表
湿度级别 | 指标要求 |
H1 | 在 50 度 温 度 ， 相 对 湿 度 范 围 90%~95%，1000小时的条件下，可以保证卡的操作和存储正常。 |
H2 | 在 85 度 温 度 ， 相 对 湿 度 范 围 90%~95%，1000小时的条件下，可以保证卡的操作和存储正常。 |
4. 腐蚀
腐蚀目前只有一个等级为C1，指标要求如下表所示：
表4 腐蚀指标列表
湿度级别 | 指标要求 |
C1 | 在5%盐度(NaCl)的环境下存储至 少24小时，卡的操作和存储正常。 |
5. 震动
震动分为三个等级，分别是V1，V2，V3，各等级的震动范围如下表所示：
表5 震动指标列表
震动级别 | 指标要求 |
V1 | 5Hz to 500Hz |
V2 | 10Hz to 1000Hz |
V3 | 20Hz to 2000Hz |
满足以上级别要求的M2M专用卡应保证：在以上等级的震动环境下至少2小时，卡的操作
和存储正常。
对于加速度、振幅等的详细要求参见附录B。
针对V1的指标等级范围是附录B中的等级3～8；针对V2的指标等级范围是附录B中等级2；
针对V3的指标等级范围是附录B中的等级1。
6. 附着力
附着力目前只有一个等级为A1，指标要求如下表所示：
表6 附着力指标列表
附着力级别 | 指标要求 |
A1 | 对卡施加60N的拉力并持续1分钟， 模块不应从卡上分离，卡的操作和 存储正常。 |
7. 数据保存时间
数据保存时间是指在无源储存情况下的数据保存时间，不包括由于对M2M专用卡的擦写6
操作导致卡片数据损坏的情况。
数据保存时间分为四个等级，分别是R1，R2，R3，R4，各等级的指标要求如下表所示：
表7 数据保存时间指标列表
数据保存时间级别 | 指标要求 |
R1 | 10年 |
R2 | 15年 |
R3 | 20年 |
R4 | 25年 |
在每个时间指标下，根据最高存储温度范围，可分为85°C、105°C、125°C三个等级。
8. 擦写次数
擦写次数是指通过UPDATE指令(参见TS102.221)更新M2M专用卡内数据，保证M2M专用卡
可以正常擦写和读取的最小次数。在对M2M专用卡进行重复擦写数据存储区的情况下，保证
某些常用文件（例如SMS）和数据不会因频繁操作而导致损坏。
卡片擦写次数分为四个等级，分别是E1，E2，E3，E4，各等级的指标要求如下表所示：
表8 擦写次数指标列表
擦写次数级别 | 指标要求 |
E1 | 10万次 |
E2 | 50万次 |
E3 | 100万次 |
E4 | 500万次 |
9. 抗电磁干扰
抗电磁干扰分为两个等级，指标要求如下表所示：
表9 抗电磁干扰指标列表
电磁级别 | 指标要求 |
M1 | 在卡暴露在稳定的79500A/m （1000Qe）磁场下，不应降低卡片功能。 |
M2 | 在 卡 暴 露 在 稳 定 的640000A/m（1000Qe）磁场下， 不应降低卡片功能。 |
10. 抗 X 光(紫外线)
抗X光(紫外线)分为1个等级，指标要求如下表所示：
表10 抗X光指标列表
电磁级别 | 指标要求 |
X1 | 在卡的任何一面每边在受到0.1Gy 剂 量 ， 相 当 于 70 ～ 140KeV中等能量X射线照射时（一年的累计剂量），不应降低卡片功能。 |
11. 抗静电
抗静电分为三个等级，指标要求如下表所示：
表11 抗静电指标列表
静电级别 | 指标要求 |
S1 | 在卡暴露在2000V的静电环境中，不应降低卡片功能。 |
S2 | 在卡暴露在4000V的静电环境中，不应降低卡片功能。 |
S3 | 在卡暴露在8000V的静电环境中，不应降低卡片功能。 |
